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プレスリリース
2016年08月10日 09時00分
Source:
Lam Research Corporation
ラムリサーチ、業界初の低フッ素タングステンALDプロセスで次世代メモリへの道を開く
新製品のALTUS(R) Max Eシリーズは低フッ素、低ストレス、低抵抗の3D NANDや DRAMを高い生産性で実現します
FREMONT, CA, 2016年08月10日 - (JCN Newswire) - 最先端の半導体製造装置のメーカであるラムリサーチ(Lam Research Corp.、NASDAQ:LRCX) は 本日、業界をリードするALTUS(R)シリーズの最新のラインアップとしてフッ素濃度の低いタングステン膜を生成できるアトミック・レイヤー・デポジション(atomic layer deposition:ALD)プロセスを発表致しました。業界初の低フッ素タングステン(Low-Fluorine Tungsten:LFW)ALD機能により ALTUS Max E シリーズはメモリを生産するデバイスメーカの技術課題を解決し、3D NAND や DRAM の更なる微細化を可能にします。この新しいシステムはメモリ製造プロセスにおいて業界をリードしてきたラムリサーチ製品系列の技術蓄積を結集したものです。既に大手の 3D NANDやDRAMメーカでの量産現場や多くの半導体メーカの研究開発拠点で採用され、世界中で普及に弾みがついています。
「より高機能なデバイスを求める消費者のニーズに応えるには大容量・高性能な記憶装置が必要になります。最先端のメモリ・チップを生産する上でキーとなる工程が成膜とエッチングです。ALTUS Max Eシリーズの投入により弊社はメモリ製品の品揃えを拡張することができました。そしてお客様には当産業を引っ張る、新たな技術革新のメリットを享受いただけるのです。過去1年の間に3D NAND技術が大きな変革を遂げるに従い、弊社の3D NAND向けの製品出荷は倍増しました。おかげさまで当分野の成膜・エッチング装置では業界最大の設置台数となっています。」とラムリサーチのCOOであるTim Archerは述べています。
3D NANDのメーカがメモリのセルの積層数を増やしていくに従い、ワードラインのタングステン埋め込みに関して2つの問題が顕在化してきました。まず、第一はタングステン膜から絶縁膜に拡散するフッ素が物理的な欠陥を発生させうるということです。二番目に、48層を超えるデバイスでは蓄積ストレスに起因する過度なウェハのボーイングが生じるということです。こうした不具合は歩留まり低下、あるいはデバイスの電気特性の劣化や信頼性低下につながります。そのため、先端3D NANDデバイスではタングステン膜のフッ素量や内在応力を大幅に低減させる必要があります。更に、線幅が微細になる従い、DRAMにおける埋め込みワードラインやロジック・デバイスにおけるメタルゲート/メタルコンタクトのプロセスで抵抗値の抑制が難しくなります。
「メモリを生産するデバイスメーカが微細化を進めるにつれ、タングステンを埋め込む部分はより狭く、そしてアスペクト比が高い構造となります。ラムリサーチの新しい低フッ素タングステンALDは埋め込み性能と生産性を維持しつつ、表面反応制御によりストレスやフッ素レベルを制御し、低抵抗の成膜を可能にしています。ALTUS Max Eシリーズは、従来のCVDによるタングステン成膜に比べ、フッ素量は1/100、ストレスは1/10、そして膜抵抗は30%減を実現し、お客様が微細化やプロセス・インテグレーションを進めるに際して直面する最も困難な課題を克服します。」と成膜製品グループのグループVPであるSesha Varadarajanは述べています。
低フッ素タングステンALDテクノロジを搭載したALTUS Max Eシリーズはラムリサーチの独自技術であるPNL(R) (Pulsed Nucleation Layer)テクノロジに基づくもので、他に類を見ない純ALDプロセスを実現します。PNLはラムリサーチの15年に及ぶ市場でのリーダーシップ、量産現場での1000台を超える稼働実績に支えられてALD成膜の業界標準となっています。ラムリサーチはPNL テクノロジによってタングステンの核生成がCVDからALDに移行する流れを作りました。同社はPNLxT(TM)およびLRWxT(TM)テクノロジを搭載したALTUS(R) Max、そして埋め込み性能を強化したALTUS(R) Max ExtremeFill(TM)によって低抵抗タングステン ソリューションを進化させ、業界をリードし続けます。
ALTUSシリーズの製品は基本設計にラムリサーチの4ステーション・モジュール(quad-station module:QSM)のプラットフォームを採用しています。ステーション毎個別に温度を設定可能なので、埋め込み性能を損なわずにステーション毎にタングステンの核生成と埋め込みにおけるフッ素量、ストレス、膜抵抗などの最適化を図ることができます。QSMは最大12ペデスタルを装着可能で、純ALDプロセスの生産性を最大限に高める事ができます。その結果、設置面積当生産性は業界最高水準となりました。
About Lam Research
Lam Research Corp. (NASDAQ: LRCX) is a trusted global supplier of innovative wafer fabrication equipment and services to the semiconductor industry. Lam's broad portfolio of market-leading deposition, etch, strip, and wafer cleaning solutions helps customers achieve success on the wafer by enabling device features that are 1,000 times smaller than a grain of sand, resulting in smaller, faster, and more power-efficient chips. Through collaboration, continuous innovation, and delivering on commitments, Lam is transforming atomic-scale engineering and enabling its customers to shape the future of technology. Based in Fremont, Calif., Lam Research is a NASDAQ-100 Index(R) and S&P 500(R) company whose common stock trades on the NASDAQ(R) Global Select Market(TM) under the symbol LRCX. For more information, please visit
http://www.lamresearch.com
. (LRCX-P)
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Statements made in this press release that are not of historical fact are forward-looking statements and are subject to the safe harbor provisions of the Private Securities Litigation Reform Act of 1995. Such forward-looking statements relate to, but are not limited to, statements concerning the challenges faced by memory chipmakers, the challenges for scaling 3D NAND, the need to use reduced fluorine and intrinsic stress to address word line fill application issues, and the market success or market share gains of Lam's products or technology. Some important factors that may affect these forward-looking statements include advances in technology, new products and services offered by Lam's competitors, known and unknown barriers to technical progress and the financial condition of semiconductor manufacturers and the economy as a whole. Such forward-looking statements are based on current beliefs and expectations and are subject to risks, uncertainties and changes in condition, significance, value and effect, including those discussed in Lam's annual report on Form 10-K under the heading "Risk Factors" as well as in other documents filed by Lam with the Securities and Exchange Commission. Such risks, uncertainties and changes in condition, significance, value and effect could cause actual results to differ materially from those expressed herein and in ways not readily foreseeable. Readers are cautioned not to place undue reliance on these forward-looking statements, which speak only as of the dates made and of information reasonably known to Lam as of the dates the statements were made. We undertake no obligation to release the results of any revisions to these forward-looking statements which may be made to reflect events or circumstances which occur after the date hereof or to reflect the occurrence or effect of anticipated or unanticipated events.
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Investor Relations
Phone: +1-510-572-1615
Email:
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Lam Research General Inquiries
Kyra Whitten
Phone: +1-510-572-5241
Email:
Kyra.Whitten@lamresearch.com
Kerry Farrell
Phone: +1-510-572-3175
Email:
Kerry.Farrell@lamresearch.com
Lam Research Asia Inquiries
Hui-Yun Chen
Phone: +65 6347-6819
Email:
Hui-Yun.Chen@lamresearch.com
Source: Lam Research Corporation
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