2019年12月18日 18時00分

Source: Fujitsu Ltd

富士通研究所、高電子移動度トランジスタがIEEEマイルストーンに認定

東京, 2019年12月18日 - (JCN Newswire) - 株式会社富士通研究所(注1)(以下、富士通研究所)が開発した高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor 以下、HEMT)がIEEEマイルストーンに認定されました。これは富士通研究所が1979年に開発し、電波望遠鏡・衛星放送受信機の性能向上で画期的な成果を挙げたことが評価されたものです。

なお、IEEEによるマイルストーン認定を記した銘板の贈呈式は、12月18日(水曜日)に東京都内にて行われました。

IEEE およびIEEEマイルストーンについて
IEEE(The Institute of Electrical and Electronics Engineers)は、世界160ヶ国以上に42万人の会員を持つ、電気、電子、情報、通信などの分野における世界最大の学会です。IEEEマイルストーンは、これらの分野において、開発から25年以上に渡って、地域社会や産業の発展に多大な貢献をした歴史的業績を認定する制度です。

HEMTについて
HEMTは、トランジスタ内の電子の発生と走行領域を空間的に分離した二層構造にすることで高速動作できる新構造トランジスタです。この特長により、高周波特性に優れ、微弱な高周波信号を高感度に受信することが可能です。HEMTは、1985年に世界一雑音の小さいマイクロ波半導体デバイス製品として富士通株式会社で製品化し、国立天文台野辺山宇宙電波観測所(長野県南佐久郡)の電波望遠鏡に採用されました。また、翌年の1986年には、未知の星間分子を発見するなど基礎科学の進展に大きく貢献しています。その後、世界各国の衛星放送受信機への搭載を皮切りに、携帯電話端末や基地局、GPS用受信機、自動車の衝突を防止するミリ波レーダーなど、マイクロ波・ミリ波領域の各種装置で高速・低雑音性能に優れた素子として必須部品となり、現在に至るまで情報通信社会を支える基盤技術として貢献し続けています。

本リリースの詳細は下記をご参照ください。
https://pr.fujitsu.com/jp/news/2019/12/18.html

概要:富士通株式会社

詳細は http://jp.fujitsu.com/ をご覧ください。

Source: Fujitsu Ltd
セクター: エレクトロニクス, IT

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