ENGLISH
|
JAPANESE
|
CONNECT WITH US:
Home
About
Contact
Log in
*
Home
Press release
2015年10月02日 12時45分
Source:
Showa Denko K.K.
昭和電工、欠陥密度を大幅低減したパワー半導体用SiC エピウェハーを販売
フルSiC パワーモジュールの実用化に寄与
東京, 2015年10月02日 - (JCN Newswire) - 昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(以下、SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の4インチ(100mm)品と6インチ(150mm)品において、欠陥を大幅に低減した新グレード「ハイグレードエピ(以下、HGE)」を開発し、今月より販売を開始いたします。
SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン製に比べ耐高温・高電圧特性や、大電流特性に優れ、電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と高効率化を実現する次世代型パワー半導体として注目されています。すでにデータセンターのサーバー電源や新エネルギーの分散型電源、地下鉄車両に採用が進んでいますが、自動車への搭載も表明され、今後さらなる需要拡大が期待されています。また、発電・送電系統への適用を目的とした10KV 級超高耐圧デバイスの研究開発も進められています。
高電圧・大電流に耐えうるパワーモジュールには主にSBD*とMOSFET**が搭載されており、現在、SBDにおいてSiCの採用が進んでいます。一方、MOSFETはエピウェハー表面に形成する酸化膜をデバイス動作に用いることから、SBDに比べ微細な表面欠陥や、基底面転位***をはじめとする結晶欠陥がデバイスの収率(歩留まり)や品質に大きく影響し、SiC-MOSFETの実用化には、欠陥の低減が課題となっていました。
また自動車向けのモジュールなどは、100A級の大電流を一つのデバイスで扱うため、エピウェハーから生産されるSiCチップが10mm角級に大型化されます。このような大型チップでは、生産時の収率(歩留まり)悪化を防ぐため、エピウェハーの欠陥密度を0.1個/cm2以下に抑える必要があります。
今回開発したHGEでは、表面欠陥を当社従来品の3分の1である0.1個/cm2に、基底面転位を従来品の100分の1以下である0.1個/cm2以下にコントロールすることが可能となりました。代表的な結晶欠陥である基底面転位によるデバイス不良の割合がほぼ0になることから****、HGEは、SiC-SBDとSiC-MOSFETの組合せにより作成されるフルSiCパワーモジュールの実用化と市場拡大に大きく寄与すると考えています。
加えて、同技術の適用により、発電・送電系統向け超高耐圧デバイス用として必要とされる100um*****以上の膜厚を有するエピウェハーにおいても、低レベルの欠陥密度と良好な均一性の確保が可能となることから、HGE製品として出荷を開始いたします。
SiCパワー半導体エピタキシャルウェハーの市場規模は、2025年に1,000億円規模に拡大すると予想されています。当社は今後も市場の要求品質に応え、市場形成に貢献してまいります。
本リリースの詳細は下記URLをご参照ください。
http://www.sdk.co.jp/news/2015/15623.html
* SBD(Schottky Barrier Diode)…ショットキーバリアダイオード
** MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)…金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
*** 基底面転位…SiC単結晶の基底面に発生する転位
**** 10mm角チップでの想定
***** 1um(マイクロメートル)=1000分の1mm
昭和電工株式会社
詳細は www.sdk.co.jp をご覧ください。
お問い合わせ先
昭和電工株式会社
広報室
03-5470-3235
Source: Showa Denko K.K.
セクター: 化学
Copyright ©2024 JCN Newswire. All rights reserved. A division of Japan Corporate News Network.
Latest Release
Mazda Production and Sales Results for March 2024 and for April 2023 through March 2024
Apr 25, 2024 18:21 JST
MHI Begins Operation of SOEC Test Module the Next-Generation High-Efficiency Hydrogen Production Technology at Takasago Hydrogen Park
Apr 25, 2024 17:45 JST
GAC Honda to Begin Sales of All-new e:NP2, the Second Model of e:N Series
Apr 25, 2024 16:50 JST
Toyota Exhibiting at Beijing Motor Show 2024
Apr 25, 2024 16:25 JST
Honda Reaches Basic Agreement with Asahi Kasei on Collaboration for Production of Battery Separators for Automotive Batteries in Canada
Apr 25, 2024 11:10 JST
UNIQLO Sponsors KAWS + Warhol Exhibition Tour, Starting in Pittsburgh
Apr 25, 2024 09:00 JST
Mitsubishi Power Begins Commercial Operation of Seventh M701JAC Gas Turbine in Thailand GTCC Project; Achieves 75,000 AOH To-Date
Apr 24, 2024 17:19 JST
MC and Denka Sign J/V Agreement in Fullerene Business
Apr 24, 2024 17:02 JST
Mitsubishi Motors Posts Record Sales in the Philippines in FY2023
Apr 24, 2024 13:56 JST
NEC Develops High-speed Generative AI Large Language Models (LLM) with World-class Performance
Apr 24, 2024 13:25 JST
Fujitsu SX Survey reveals key success factors for sustainability
Apr 23, 2024 10:25 JST
Fujitsu and METRON collaborate to drive ESG success: slashing energy costs, boosting productivity with new manufacturing industry solutions
Apr 22, 2024 16:09 JST
NEC Strengthens Commitment to Space Industry with Investment in Seraphim Space Venture Fund II
Apr 22, 2024 15:09 JST
Soft Space Launches the First and Only JCB Payment Gateway in Malaysia
Apr 22, 2024 15:00 JST
TOYOTA GAZOO Racing takes a one-two in Croatian thriller
Apr 22, 2024 10:47 JST
First-ever Mazda CX-80 Crossover SUV Unveiled in Europe
Apr 19, 2024 13:50 JST
Fujitsu develops technology to convert corporate digital identity credentials, enabling participation of non-European companies in European data spaces
Apr 19, 2024 10:17 JST
Mitsubishi Heavy Industries and NGK to Jointly Develop Hydrogen Purification System from Ammonia Cracking Gas
Apr 18, 2024 17:01 JST
Toyota Launches All-New Land Cruiser "250" Series in Japan
Apr 18, 2024 13:39 JST
Fujitsu and Oracle collaborate to deliver sovereign cloud and AI capabilities in Japan
Apr 18, 2024 11:14 JST
More Latest Release >>
Related Release
Showa Denko Launches Mass Production of 6-inch SiC Single Crystal Wafers
3/28/2022 12:00:00 PM JST
SDK Corrects Segment Information in 2021 Consolidated Financial Statements
3/11/2022 3:00:00 PM JST
Showa Denko Group Starts to Consider Transformation into Holding Company Structure
3/9/2022 3:00:00 PM JST
Showa Denko Decides Firm Name of the Newly Integrated Company
3/9/2022 3:00:00 PM JST
SDK Announces 2021 Consolidated Financial Results
2/14/2022 2:00:00 PM JST
SDK to Revise Amount of Director Compensation (in Money) Following Revision of Director Compensation Scheme and to Partially Revise Performance-Linked Stock Compensation Scheme
2/14/2022 2:00:00 PM JST
Showa Denko Accelerates Search for Optimal Formulation of Semiconductor Materials with Quantum Computing Technology
2/10/2022 1:00:00 PM JST
Showa Denko Revises Forecast of Consolidated Performance
2/9/2022 4:00:00 PM JST
New Year Message from Hidehito Takahashi, Showa Denko President and CEO
1/4/2022 2:00:00 PM JST
Showa Denko Develops HD Media for MAS-MAMR Technology
12/10/2021 1:30:00 PM JST
More Press release >>