ラムリサーチ、高アスペクト比絶縁膜エッチング向け Flex(TM) G シリーズを発表

2015年07月16日 10時10分

Source: Lam Research Corp.

高イオンエネルギーと高度なプロセス均一性チューニング機能を備えた新システムは次世代 DRAM や 3D NAND製造においてクラス最高の総合性能を発揮

FREMONT, CA, 2015年07月16日 - (JCN Newswire) - 半導体産業向けの革新的な製造装置やサービスの大手企業であるラムリサーチ（Lam Research Corp.、NASDAQ：LRCX、本社：米国カリフォルニア州フレモント、社長兼CEO：Martin Anstice）は本日、DRAMや3D NAND デバイスの更なる微細化を可能にする高アスペクト比（high-aspect-ratio；HAR）絶縁膜エッチング向けのFlex(TM) Gの発売を発表しました。これらデバイスのHAR キャパシタや縦型トランジスタのチャンネルでは、このように細くて深い形状の上部から底部まで歪みのない縦プロファイルを形成する必要があります。メモリ用絶縁膜エッチャのリーダーであるラムリサーチのFlex製品系列の技術をベースにし、この新システムでは高イオンエネルギー、高度なプロセス均一性チューニング機能、そして独自のRFパルス技術を組み合わせることで、このような困難な技術課題を克服しています。これらによって総合的にクラス最高のウェハ加工性能を実現し、かつ生産コストの低減に寄与する生産性を提供します。

「最先端のメモリ・デバイスは設計上、高アスペクト比の絶縁膜エッチングが必要で、かつ世代と伴にアスペクト比が大きくなります。そのため、非常に深い形状を並外れたプロセス制御性でエッチングすることが要求されます。最新のFlex Gシリーズは、エッチング形状やマスク選択比等の重要なプロセスパラメータをチューニングできる革新的な技術を採用し、こうしたお客様の最も困難な技術課題を解決する一助となります。」とエッチャ製品グループのグループVPであるVahid Vahediは述べています。

アスペクト比が大きくなるにつれ、絶縁膜のエッチング工程は難しくなっていきます。20nm世代以降のDRAMではキャパシタ（セル）の形状は極めて厳しいものとなり、それに伴ってエッチングが困難になります。これらの工程では縦構造全体にわたって微細寸法（critical dimensions；CD）を制御するとともにエッチング深さと形状をウェハ全面に渡って均一に仕上げなければなりません。同様に3D NANDには縦型トランジスタのチャンネルやスリットというHARプロセスがあります。現状で30対を超える積層膜を貫通するエッチング工程があり、アスペクト比は30:1以上にもなります。次世代デバイスではこれが60対以上になり、アスペクト比がさらに大きくなることが見込まれています。難しい寸法の加工を伴う HAR構造ではボーイング、チルトやねじれ等の歪み、加工途中でのエッチストップなどの不具合が起きやすくなります。こうした問題を克服するために高い選択比や、膜を除去する制御性が必要になります。

Flex G シリーズはメモリ用絶縁膜エッチング市場をリードするラムリサーチのFlex系列製品の最新機種です。次世代DRAMや3D NAND の微細化に伴う技術課題を解決するため、本システムにおいては高いイオンエネルギーでHAR形状の底部に至るまで加工対象膜を除去します。先進のプラズマ封じ込め技術とRFパルス制御技術により、従来に比べて2倍のマスク選択比を持ち、かつボーイングのない垂直形状をほとんど歪みなく形成します。これに加えて先進のマルチゾーン・ガス分布制御により抜群のCD均一性が実現可能となりました。Flex系列製品の製造現場での実績を活かし、本システムは高いエッチング速度でクラス最高の生産性を提供致します。

このリリースに関する詳しいお問い合わせは下記へ：
Kyra Whitten
Lam Research Corp., Corporate Communications
+81-510-572-5241
email: kyra.whitten@lamresearch.com

Source: Lam Research Corp.