IDT、高性能、低消費電力を提供する、デュアルチャネルバッファ製品で1.8VのRFタイミングファミリを拡充

2016年12月05日 08時10分

Source: Integrated Device Technology, Inc.

8P34S LVDS バッファファミリに新たに追加された 4 つのデュアルチャネル製品が、高周波クロックとデータ信号のファンアウトを低アディティブ位相ジッターで実現

カリフォルニア州サンノゼ, 2016年12月05日 - (JCN Newswire) - IDT(R)（Integrated Device Technology, Inc.、本社：米国カリフォルニア州サンノゼ、NASDAQ：IDTI）は本日、高性能で低消費電力の LVDS デュアルチャネルファンアウトバッファを 4 製品を発表しました。これらの製品は、システムや基板の設計者に優れた性能と省電力を提供します。ワイヤレスインフラストラクチャや他の通信機器に理想的な最適な製品として、IDT(R) 8P34S バッファファミリの新しい1.8 V 製品は、45 フェムト秒未満という非常に低いアディティブ位相ジッターで、高周波クロックとデータ信号の同時ファンアウトを可能にしています。

各デバイスの独立した 2 つのバッファチャネルは、最大で 8 つの低スキュー出力を提供します。チャネル間の効果的なアイソレーションにより、ノイズの影響を最小限にしています。伝搬遅延などのAC特性はチャネル間で最適化されています。

IDT のデュアルチャネルバッファは、同等の競合デバイスよりも最大で 50% の低電力を実現し、クロック性能を維持しながら省電力の基板設計を可能にします。さらに、これらバッファにより、エンジニアは微細なサブミクロンのシリコンプロセスを支援する低電圧化へ移行することができます。

IDTのタイミング製品担当ゼネラルマネージャーである Kris Rauschは次のように述べています。「システムのタイミング分配に関して、RF設計者は最適な信号対雑音比を得るために省電力性能を犠牲にする必要がなくなりました。これらの新しいデバイスは、1.8 V の低電源で優れたAC特性を示し、設計者が最適な信号対雑音性能を維持するのを支援し、低電力消費と低い熱放散を実現します」

これらの新しいデバイスは、それぞれが同期を維持しつつバッファリングするために2 つの異なる信号入力に対応します。1 つのチャネルをクロックに使用し、もう 1 つのチャネルを同期信号やデータに使用すると、たとえばJESD204B アプリケーションのデバイスクロックとシステムのSYSREF信号の分配に適用できます。省電力により、システムの高密度実装化、電源と冷却に要するコストの低減、電源部品面積の削減を図ることができます。

このバッファの低アディティブ位相ジッターとスプリアス低減、クロック出力の低スキュー化は、同時に高周波クロックへも対応しています。LVDS デバイスとの互換性によって使いやすいデバイスとなっており、IDTの業界標準となっている 2.5 V および 3.3 Vの部品と同じようにピン配置と機能に互換があります。

8P34S バッファファミリには、すでに発表されている 5 つのシングルチャネル製品もあります。

IDTについて

IDT 社（Integrated Device Technology, Inc.）はお客様のアプリケーションを最適化できるシステムレベルのソリューションを開発しています。RF、タイミング、ワイヤレス給電、シリアルスイッチ、インタフェース、車載用のASIC、バッテリマネジメントIC、センサーシグナルコンディショナICや環境センサーなどの市場をリードするIDT製品は、通信、コンピュータ、コンシューマ、車載、産業向けの用途に広範囲なミックスドシグナルソリューションを提供しています。本社はカリフォルニア州サンノゼ。世界中に設計、製造、販売の拠点があります。IDT社の株式は NASDAQ Global Select Stock Market(R)で取引されています。証券コードは「IDTI」。詳しくは www.idt.com をご参照ください。Facebook、LinkedIn、Twitter、YouTube、Google+ もご参照ください。

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