ラムリサーチ、高生産性成膜装置VECTOR(R) ALD Oxideを発売

2015年07月14日 10時30分

Source: Lam Research Corporation

マルチパターニングの量産工程に展開可能な新型のアトミック・レイヤー・デポジション装置は厳格なCD制御と高い生産性を実現

FREMONT, CA, 2015年07月14日 - (JCN Newswire) - 半導体産業向けの革新的な製造装置やサービスの大手企業であるラムリサーチ（Lam Research Corp.、NASDAQ：LRCX、本社：米国カリフォルニア州フレモント、社長兼CEO：Martin Anstice）は本日、Extremeのプラットフォームを使用した高生産性のVECTOR(R) ALD Oxideをリリースしたと発表しました。この新製品はアトミック・レイヤー・デポジション（atomic layer deposition；ALD）によって被覆性が非常に高い絶縁膜を生成するもので、最先端のパターン生成工程、特に側壁スペーサーを用いたマルチパターニングへの適用を想定しています。この工程の出来映えを左右する要因の一つが微細寸法（critical dimensions；CD）精度を左右する側壁スペーサーの膜厚変動の抑制です。優れたCD制御性により、マルチパターニングの量産現場においてVECTOR ALD Oxideは選ばれ続けてきました。今後、更なる微細化が進むに連れ、工程数は増え続け、その結果プロセス時間、コスト、複雑性が増していくことが予想されます。この最新システムは、ラムリサーチのExtreme プラットフォームの利点を活かした高い生産性により、これらの次世代プロセスの要求に応えることができます。その結果、最先端のマルチパターニング・プロセスを採用する大手デバイス・メーカでVECTOR ALD Oxideは急速に普及し始めています。

「マルチパターニングは半導体産業にとって現在の液浸露光世代や、次世代のEUV露光世代においてもプロセスに変革をもたらす戦略的な技術であり続けるでしょう。だからこそ私共は、コスト効率が高くかつ次世代への拡張性を備えたソリューションとして、原子レベルの薄膜制御性と生産性を備えたVECTOR ALD Oxide製品を提供できるよう、お客様と緊密に連携しています」と成膜製品グループ、グループVPのSesha Varadarajanは述べています。

露光／エッチング／成膜の工程を繰り返すことにより、マルチパターニング技術は従来のシングルパターニングに基づく光学リソグラフィに比べ、微細なパターンを生成可能で、デバイスのパターン密度を高くすることができます。14 nmやそれ以下のパターン生成に、デバイス・メーカは自己整合型ダブルパターニング（self-aligned double patterning；SADP）や自己整合型4倍パターニング（self-aligned quadruple patterning；SAQP）などの自己整合側壁スペーサーを用いたマルチパターニングを行っていますが、パターン寸法を左右するスペーサの形成において成膜工程は決定的に重要です。そのために被覆性が高く、極めて均一で高品質な膜を堆積することが要求されます。例えば200～300オングストロームの膜厚に対して許容されるウェハ面内の膜厚変動は数オングストロームです。次世代の10 nmプロセスでは総合的なCD変動を左右するマルチパターニングの工程数が増え、生産がより複雑になるでしょう。

ラムリサーチの最先端ALD機能を持った VECTOR ALD OxideはSADPやSAQPで必須とされる超薄膜のCD精度を得るための高い成膜均一性を発揮します。4ステーションのモジュールは4枚のウェハを同時に処理することができますが、コンポーネントを共有することで信頼性やチャンバー間差が改善され、ウェハ間差は業界最小水準を達成しています。このコンパクト設計により、設置面積当たりの生産性は他の方法よりも最高で20％向上します。ガスとRFの切り替えを高速に行えるよう、ハードウェアは最適化されており、スループットが高く、プリカーサ（前駆体）の使用量も削減できる等、ランニングコストも低く抑えられます。これらの革新的なプロセス・モジュールと生産性の高いプラットフォームを組み合わせるにより、量産現場で求められる性能とコスト効率を提供します。高度なマルチパターニングを採用する大手メーカにおいてプロセス開発と量産の両方の用途でVECTOR ALD Oxideが主力装置として採用されています。この成功によりシリコン貫通電極（through-silicon vias；TSV）やイメージ・センサ等の高アスペクト比のライナなど、他のプロセスへの展開も始まっています。

このリリースに関する詳しいお問い合わせは下記へ:
Kyra Whitten
Lam Research Corp.,Corporate Communications
+81-510-572-5241
email: kyra.whitten@lamresearch.com
URL: www.lamresearch.com

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