Lam Research Kiyo(R) F Seriesにより、先端メモリに欠かせない高精度コンダクタエッチングを実現

2015年05月28日 10時45分

Source: Lam Research Corporation

Kiyo F Seriesは3D NANDと先端DRAM用に、優れたエッチング性能と大量生産に必要な生産性を提供いたします

FREMONT, CA, 2015年05月28日 - (JCN Newswire) - 半導体業界向けの革新的なウエハー製造設備およびサービスの大手グローバルサプライヤのラムリサーチ社(NASDAQ: LRCX)は、3D NANDと先端DRAMの大量生産移行を可能にするKiyo(R) F Seriesコンダクタエッチングシステムを、本日発表しました。これらのアプリケーションのエッチングに対する主な要求項目には、３D NANDの厳しい寸法(CD)の均一性や制御性、DRAMのエッチング深さの均一性などがあります。Kiyo F Seriesでは特許の混合モードパルシング(MMP)技術を使用して、高い生産性を保ちながら、先端メモリデバイスに必要なパフォーマンスを実現します。その結果、製品は先端メモリや技術的変化点に対応する高精度エッチング技術の分野で、非常に多くのマーケットポジションを得、さらなるマーケットシェア拡大をもたらしています。

「お客様は3D NANDに関して、プレーナーNANDからの移行のために必要な困難なエッチング要求に対応し、積極的な増産目標を達成し、コストメリットを実現するという重要な課題に直面しています。」エッチング製品グループ、グループVPのVahid Vahediはこう述べています。「我々は、生産性を損なうことなく堅牢でタイムリーなソリューションを提供することで、これらの新課題に対応し、この技術的変化を実現するためにお客様と緊密にコラボレーションしています。」

メモリセルを垂直に積層することで、NANDフラッシュメーカーは、より小さなデバイス領域により多くのストレージを形成することができ、リソグラフィー技術に対する要求を緩めることができ、ビット当たりの製造コストを節減することができます。マルチレイヤ3D NAND構造に欠かせない高精度コンダクタエッチング工程には、ステアケースエッチングや垂直チャネル用の高アスペクト比(HAR)マスクオープンなどがあります。このマスクオープンは、次工程の垂直トランジスタチャネル形成用エッチングにおけるCDとCD均一性を決定するため、非常に重要です。ステアケースエッチングでは、階段状構造を形成するために、3Dスタック全体に同一幅の「ステップ」が各絶縁膜ペアの端に作成されます。デバイス加工中にこれらのステップを何度もくり返すため、厳密にプロセス制御をしながら高いスループットでエッチングを行うことが非常に重要です。CDの変動を厳格に管理しなければ、ワードラインコンタクトが、過度に狭いか不均一な幅のステップから外れてしまいます。先端DRAMデバイスの場合、特にHAR FEOL (front-end-of-line)シリコンエッチングアプリケーションで、エッチ深さ制御が主要なパラメータです。アスペクト比ローディング(寸法の差によるエッチ速度の変動)や、深さローディング(パターン密度の変動によるエッチング深さの変動)などの問題が考えられます。

ラムリサーチの市場トップクラスのKiyoコンダクタエッチング製品の実績を活かして、さらに発展させたKiyo F Seriesは、先端メモリデバイスの加工変動を最小化しながら、高い生産性を実現します。ラムリサーチのMMP技術は、均一なエッチング深度さを保ちながら、高い選択比とチューニング制御で、垂直加工における優れたプロファイル制御およびCD制御を可能にする技術を提供します。これらの機能は、3D NANDステアケースエッチングにおいて，卓越した再現性で製造に必要な高いトリム率速度を可能にします。シンメトリーなチャンバー設計と半径方向のチューニングにより、CD変動を最小化するために必要な、クラス最高の均一性を実現します。新世代の先端メモリやロジックデバイスのために、MMP技術は、原子層エッチング(ALE)を実現し、原子スケールの忠実度で再現性と技術の拡張性を提供します。

Kiyo F Seriesは、すべての大手メモリメーカーで、高精度コンダクタエッチングアプリケーション用の生産および開発ツールとして採用されています。3D NAND用のアプリケーションには、ステアケースエッチングおよび垂直チャネルとスリット用のHARマスクオープンがあります。DRAM用には、HARゲート、HARトレンチ、および金属リセスがあります。このような契約獲得により、Kiyo F Seriesの納入実績は過去12か月で3倍以上になりました。さらに、技術の変化点において非常に強いポジションを得ていることから、この製品は次世代プロセスが生産に移行するにつれ、さらに採用率が上がると予想されています。

ラムリサーチについて

ラムリサーチ株式会社(NASDAQ: LRCX)は、半導体業界向けの革新的なウエハー生産設備およびサービスの提供で信頼を集めているグローバルサプライヤです。デポジション、エッチング、ストリップ、ウエハークリーニングなどの、ラムリサーチの市場トップクラスの幅広い製品ラインアップが提供するソリューソンは、お客様が砂粒の1,000分の1の大きさのデバイス構造を作成することを可能とし、チップの小型化、高速化、電力効率の向上により、ウエハー事業で成功するようお手伝いいたします。ラムリサーチはコラボレーション、継続的イノベーション、コミットメント達成などを通じて、原子スケールのエンジニアリングを実用化し、お客様が将来技術を生み出す支援をいたします。ラムリサーチは米国カリフォルニア州フレモントに本社を置くNASDAQ-100 Index(R)およびS&P 500(R)企業で、普通株をNASDAQ(R) Global Select Market(TM)にシンボルLRCXで上場しています。詳しい情報については、 http://www.lamresearch.com をご覧ください。(LRCX-P)

将来予想に関する記述(Forward-Looking Statement)についての注意書き

このプレスリリースの記述は、過去の事実についての記述を除き、将来予想に関する記述(forward-looking statement)であり、1995年の私募証券訴訟改革法の「セーフハーバー」条項の対象です。このような将来予想に関する記述は、次のような記述に関連しますが、これに限定されるわけではありません。ラムリサーチの装置の機能とパフォーマンス。将来のマーケットシェア拡大。お客様の課題。お客様とのコラボレーション業。ラムリサーチの装置の採用が営業、売上、マーケットシェアに及ぼす影響。ラムリサーチ製品の将来の採用率やその他の成功。このような将来予想に関する記述は、現時点での信念と期待に基づいていますので、ラムリサーチの年次報告書(書式10-K)の「リスク因子」の項目や、ラムリサーチが米国証券取引委員会に提出した他の文書に詳述されているような、リスクや不確実性、および状況、重要度、価値、効果などの変化により左右される可能性があります。このようなリスクや不確実性、および状況、重要度、価値、効果などの変化により、予測不可能な形で、本書に明示されている内容と実際の結果が大きく異なる場合があります。これらの将来の見通しに関する記述は、記述の書かれた日付時点にラムリサーチが合理的な方法で入手していた情報のみを記載していますので、お読みになる際は過大な信頼を置かないようにご注意ください。この文書の日付以降に発生した出来事や状況を反映するため、または予測または不測の事態の発生や影響を反映するために、これらの将来予想に関する記述の改訂が行われた場合でも、弊社は、それを公表する義務を負いません。

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